sábado, 25 de octubre de 2014

Samsung comienza la fabricación de módulos DDR4 de 32 GB en 20 nm, 128 GB próximamente





Samsung comienza la fabricación de módulos DDR4 de 32 GB en 20 nm, 128 GB próximamente





Samsung Electronics ha comenzado la producción en masa de chips de memoria DDR4 de 8 Gb (gigabits) basados en arquitectura de 20 nanómetros. Utilizando como base este componente, el fabricante coreano ya ofrece módulos RDIMM de 32 GB (gigabytes) enfocados hacia usos empresariales, al menos inicialmente. Los nuevos módulos de Samsung prometen una frecuencia efectiva de hasta 2.400 Mhz, casi un 30% más que los módulos profesionales DDR3 a 1.866 Mhz. Al mismo tiempo, la compañía sitúa el voltaje de su producto en tan solo 1,2 voltios, lo que aumenta de forma significativa la eficiencia… Leer noticia completa y comentarios »



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